NE425S01-T1B

NE425S01-T1B
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE425S01-T1B
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия Super Lo Noise HJFET
Производитель: NEC/CEL
Спецификация: 5414026.pdf
Детальное описание компонента NE425S01-T1B
Тип технологии HEMT Частота 12 GHz
Усиление 12 dB Шумовая диаграмма 0.6 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 60 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 90 mA
Максимальная рабочая температура + 125 C Рассеяние мощности 165 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок S0-1
Упаковка Reel Размер фабричной упаковки 4000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PCA9552D,112 PCA9552D,112 NXP Semiconductors LED Drivers I2C LED BLINKR 16BIT 4444476.pdf
LM48556TLBD LM48556TLBD National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) усилителей LM48556TL EVAL BOARD 9201193.pdf
TLE2037CDRG4 TLE2037CDRG4 Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители Low-Noise High-Speed Precision Decomp. 911491.pdf
LM4040C41IDCKRG4 LM4040C41IDCKRG4 --- Схемы управления питанием ---
86092325113758ELF 86092325113758ELF --- Прямоугольные разъемы ---