BLF278,112

BLF278,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF278,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 250W VHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5430183.pdf5430189.pdf
Детальное описание компонента BLF278,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 225 MHz Усиление 16 dB
Выходная мощность 250 W Напряжение пробоя сток-исток 125 V
Непрерывный ток стока 18 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-262 A1
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 500 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.3 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF278

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
STEVAL-IHM023V2 STEVAL-IHM023V2 STMicroelectronics Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием 1kW 3-Phase Motor L6390 STGP10NC BRD 9730213.pdf
BR93L46RFVT-WE2 BR93L46RFVT-WE2 --- Микросхемы памяти ---
A203B/UY/S530-A3 A203B/UY/S530-A3 --- Светодиодная индикация ---
NBC12439AMNG NBC12439AMNG --- RF Semiconductors ---
TPS2111PWG4 TPS2111PWG4 --- Коммутационные микросхемы ---