BLF147,112

BLF147,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF147,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 150W VHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5433147.pdf5433150.pdf
Детальное описание компонента BLF147,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 28 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 150 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 25 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-121B
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 220 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.15 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF147

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX412ESA-T MAX412ESA-T Maxim Integrated Products Прецизионные усилители Dual 28MHz Low-V Low-Noise Precision 1825582.pdf
PT3406A PT3406A --- Схемы управления питанием ---
MAX6380XR35-T MAX6380XR35-T --- Схемы управления питанием ---
CL-40A CL-40A --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
CPC1008NTR CPC1008NTR --- Оптопары и оптроны ---