BLF6G27-10G,118

BLF6G27-10G,118
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G27-10G,118
Описание: Transistors de puissance RF à MOSFET WIMAX POWER LDMOS TRANSISTOR
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5446478.pdf
Детальное описание компонента BLF6G27-10G,118
Fabricant NXP Configuration Single
Polarité du transistor N-Channel Fréquence 2.5 GHz to 2.7 GHz
Gain 19 dB Alimentation en sortie 2 W
Tension drain-source de rupture 65 V Courant débité continu 3.5 A
Tension gâchette-cathode de rupture 13 V Température de fonctionnement max. + 150 C
Package/Boîte SOT-975C Conditionnement Reel
Style de montage SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MRF8S21172HSR5 MRF8S21172HSR5 Freescale Semiconductor РЧ транзисторы, МОП-структура HV8 2.1GHZ 42W NI780H ---
LFECP10E-5F484C LFECP10E-5F484C --- Программируемые логические интегральные схемы ---
4220811 4220811 --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---
ERG-1SJ562 ERG-1SJ562 --- Резисторы ---
LTO030FR0470JTE3 LTO030FR0470JTE3 --- Резисторы ---