BLM6G22-30G,118

BLM6G22-30G,118
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLM6G22-30G,118
Описание: Transistors de puissance RF à MOSFET W-CDMA 2100-2200MHZ POWER MMIC
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5450806.pdf
Детальное описание компонента BLM6G22-30G,118
Fabricant NXP Configuration Dual
Polarité du transistor N-Channel Fréquence 2.1 GHz to 2.2 GHz
Gain 29.5 dB Alimentation en sortie 2 W
Tension drain-source de rupture 65 V Courant débité continu 9 A
Tension gâchette-cathode de rupture 13 V Température de fonctionnement max. + 150 C
Package/Boîte HSOP-16 Conditionnement Reel
Style de montage SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IS41LV16105B-60K IS41LV16105B-60K --- Микросхемы памяти ---
CY7C1625KV18-333BZXC CY7C1625KV18-333BZXC --- Микросхемы памяти ---
CY7C1520KV18-200BZC CY7C1520KV18-200BZC --- Микросхемы памяти ---
T190A256J008AS T190A256J008AS --- Конденсаторы ---
MAX31760AEE+ MAX31760AEE+ --- Схемы управления питанием ---