BLF8G10L-160,118

BLF8G10L-160,118
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF8G10L-160,118
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5454742.pdf
Детальное описание компонента BLF8G10L-160,118
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 920 MHz to 960 MHz Усиление 19.7 dB
Выходная мощность 35 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 37 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502A
Упаковка Reel Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DMA964060R DMA964060R Panasonic Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm ---
TLV3012AQDCKRQ1 TLV3012AQDCKRQ1 Texas Instruments ИС, компараторы AC NanoPwr,1.8V Push-Pull Comparator 9509939.pdf
4400.0037 4400.0037 --- Автоматические выключатели ---
PS2581AL2-A PS2581AL2-A --- Оптопары и оптроны ---
24AA023 24AA023 --- Конденсаторы ---