BLF248,112

BLF248,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF248,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 300W VHF P-P
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5460277.pdf
Детальное описание компонента BLF248,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 225 MHz Усиление 10 dB
Выходная мощность 300 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 25 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-262 A1
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 500 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.15 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF248

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LM3876TF/NOPB LM3876TF/NOPB National Semiconductor (TI) Усилители звука 3244601.pdf
CD4029BCSJX CD4029BCSJX Fairchild Semiconductor ИС, счетчики Binary/Decade Ctr ---
MAX5389NAUD+T MAX5389NAUD+T Maxim Integrated Products ИС, цифровые потенциометры Dl 256-Tap Volatile Linear Taper 5114284.pdf
SN74AHCT74D SN74AHCT74D Texas Instruments Триггеры Dual w/Clear Preset 4288276.pdf4288300.pdf
S4D450-HA14-01 S4D450-HA14-01 --- Вентиляторы и нагнетатели воздуха ---