BLF6G10LS-160,112

BLF6G10LS-160,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-160,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5461790.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10LS-160,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 0.7 GHz to 1 GHz Усиление 22.5 dB
Выходная мощность 32 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 39 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502B
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 115 W
Тип продукта MOSFET Power Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G10LS-160

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MC100EP29DTG MC100EP29DTG ON Semiconductor Триггеры 3.3V/5V ECL Dual Diff Data D-Type 4417242.pdf
LPFP0001Z LPFP0001Z --- Инструменты ---
1586889-1 1586889-1 --- Прямоугольные разъемы ---
36509-0020 36509-0020 --- Прямоугольные разъемы ---
08141 08141 --- Принадлежности для вентиляторов ---