BLS6G3135-20,112

BLS6G3135-20,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLS6G3135-20,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5468977.pdf
Детальное описание компонента BLS6G3135-20,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 3.1 GHz to 3.5 GHz Усиление 15.5 dB
Выходная мощность 20 W Напряжение пробоя сток-исток 60 V
Непрерывный ток стока 2.1 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-608A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.58 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLS6G3135-20

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LCM-S12232GSR/D LCM-S12232GSR/D Lumex Графические дисплейные ЖК-модули и принадлежности Graphic LCD 5460865.pdf
RGP10MEHE3/73 RGP10MEHE3/73 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 1000 Volt 500ns 3824685.pdf
HFBR-1505AFZ HFBR-1505AFZ Avago Technologies Волоконно-оптические передатчики, приемники, трансиверы Fiber Op Transmitter SERCOS 10 MBd ---
AT28BV64B-20JU AT28BV64B-20JU --- Микросхемы памяти ---
PC817X3J000F PC817X3J000F --- Оптопары и оптроны ---