BLA1011S-200,112

BLA1011S-200,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLA1011S-200,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5471219.pdf
Детальное описание компонента BLA1011S-200,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.03 GHz to 1.09 GHz Усиление 13 dB
Выходная мощность 200 W Напряжение пробоя сток-исток 75 V
Напряжение пробоя затвор-исток +/- 22 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-538B Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 700 W Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.06 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLA1011S-200

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MDO1200-18N1 MDO1200-18N1 Ixys Дискретные полупроводниковые модули 1200 Amps 1800V ---
SCNO4SX-R SCNO4SX-R Neutrik Волоконно-оптические соединители QUAD IP65 CABLE END SINGLEMODE W/ COVER 6037036.pdf
E6522 E6522 JKL Components Лампы Std Glass Wedge 6V .03A .025M ---
74HCT4514PW-T 74HCT4514PW-T NXP Semiconductors Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 4-16 DECODER/MUX W/LATCHES 3690771.pdf
100746-H-F-S-12-AF 100746-H-F-S-12-AF --- Комплектующие для испытательного оборудования ---