BLF6G22-45,112

BLF6G22-45,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G22-45,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5473906.pdf
Детальное описание компонента BLF6G22-45,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2 GHz to 2.2 GHz Усиление 18.5 dB
Выходная мощность 2.5 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 12.5 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-608A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.2 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G22-45

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS14C88N DS14C88N National Semiconductor (TI) Шинные ресиверы 6323844.pdf
M4A3-32/32-10VNC M4A3-32/32-10VNC --- Программируемые логические интегральные схемы ---
VLMS3101-GS18 VLMS3101-GS18 --- Светодиодная индикация ---
VAOL-3HDE4 VAOL-3HDE4 --- Светодиодная индикация ---
OPB960L55 OPB960L55 --- Фотопрерыватели ---