BLF6G38LS-100,112

BLF6G38LS-100,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G38LS-100,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5475107.pdf
Детальное описание компонента BLF6G38LS-100,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 3.4 GHz to 3.6 GHz Усиление 13 dB
Выходная мощность 18.5 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 34 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502B
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 57.7 W
Тип продукта MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.18 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF6G38LS-100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
S6315-6.0 S6315-6.0 --- Фотоэлектрические (солнечные) разъемы ---
B39102B5101U810 B39102B5101U810 --- Формирование сигнала ---
7428A 008500 7428A 008500 --- Многожильные кабели и кабели парной скрутки ---
EEEHBV221UAP EEEHBV221UAP --- Разное ---
П702 П702 --- Разное ---