BLS6G3135-120,112

BLS6G3135-120,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLS6G3135-120,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5480342.pdf
Детальное описание компонента BLS6G3135-120,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 3.1 GHz to 3.5 GHz Усиление 11 dB
Выходная мощность 120 W Напряжение пробоя сток-исток 60 V
Непрерывный ток стока 7.2 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLS6G3135-120

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TPA3125D2N TPA3125D2N Texas Instruments Усилители звука 10W Stereo Class-D Audio Pwr Amp 2906391.pdf
TPA3120D2PWPR TPA3120D2PWPR Texas Instruments Усилители звука 25-W Stereo Class-D 4754967.pdf
DS1267E-10/T&R DS1267E-10/T&R Maxim Integrated Products ИС, цифровые потенциометры 5175682.pdf
LM336Z-2.5 LM336Z-2.5 --- Схемы управления питанием ---
3786-C-18 3786-C-18 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---