BLF6G10-160RN,112
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BLF6G10-160RN,112 | ||
Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура Trans MOSFET N-CH 65V 39A 3-Pin | ||
Производитель: | NXP Semiconductors | ||
Спецификация: | 5482756.pdf | ||
Детальное описание компонента BLF6G10-160RN,112 | |||
Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
---|---|---|---|
Частота | 0.7 GHz to 1 GHz | Усиление | 22.5 dB |
Выходная мощность | 32 W | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
Непрерывный ток стока | 39 A | Напряжение пробоя затвор-исток | +/- 13 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | SOT-502A |
Упаковка | Tube | Вид монтажа | SMD/SMT |
Размер фабричной упаковки | 20 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
CAT28C257NI-15 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
CYDM064B16-55BVXIT | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
MAX6442KAAISD3+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
MAL210447102E3 | --- | Конденсаторы | --- |
|
||
643424-2 | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|