BLS6G3135-120

BLS6G3135-120
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLS6G3135-120
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5509281.pdf
Детальное описание компонента BLS6G3135-120
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 3.1 GHz to 3.5 GHz Усиление 11 dB
Выходная мощность 120 W Напряжение пробоя сток-исток 60 V
Непрерывный ток стока 7.2 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502A
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLS6G3135-120,112

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NX3L1T53GD,125 NX3L1T53GD,125 --- Коммутационные микросхемы ---
HCPL-540K#200 HCPL-540K#200 --- Оптопары и оптроны ---
EEE-HP0J100R EEE-HP0J100R --- Конденсаторы ---
24-414P 24-414P --- Инструменты ---
PX0593/63 PX0593/63 --- Модули подачи питания ---