PTFA211801F V4

PTFA211801F V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA211801F V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA211801F V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2170 MHz Усиление 17.5 dB
Выходная мощность 180 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1.3 A Напряжение пробоя затвор-исток 10 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-34288-4/2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 565 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.05 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 40
Другие названия товара № FA211801FV4XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
STGY50NB60HD STGY50NB60HD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 50 Amp ---
86255-7003 86255-7003 Molex Волоконно-оптические соединители SCD DPX JPR MM 50/125 3MM RSR 5M ---
74V1G66CTR 74V1G66CTR --- Коммутационные микросхемы ---
LC-IR-36.0 LC-IR-36.0 --- Светодиодная индикация ---
4318/2R 4318/2R --- Вентиляторы и нагнетатели воздуха ---