PTFA261702E V1

PTFA261702E V1
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA261702E V1
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA261702E V1
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 2.7 GHz Усиление 15 dB
Выходная мощность 170 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1.8 A Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-30275-4
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 643 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.08 Ohms Размер фабричной упаковки 1
Другие названия товара № FA261702EV1XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NSBC143EDP6T5G NSBC143EDP6T5G ON Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) DUAL NBRT ---
THS4081CDGNRG4 THS4081CDGNRG4 Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители 175-MHz Low-Power Volt-Feedback Amp 999429.pdf
SSL-LX306F4SUGD SSL-LX306F4SUGD --- Светодиодная индикация ---
KF86-AD-26S-K KF86-AD-26S-K --- Субминиатюрные соединители ---
DBML13W3S500MN DBML13W3S500MN --- Субминиатюрные соединители ---