BF1212WR,115

BF1212WR,115
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BF1212WR,115
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала N-CH DUAL GATE 6V
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5528419.pdf5528433.pdf
Детальное описание компонента BF1212WR,115
Конфигурация Single Dual Gate Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 6 V Напряжение пробоя затвор-исток 6 V
Непрерывный ток стока 0.03 A Рассеяние мощности 180 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок CMPAK-4 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 3000
Другие названия товара № BF1212WR

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAAD-000522-T MAAD-000522-T M/A-COM Technology Solutions Attenuators (ICs) ---
TL431IP TL431IP --- Схемы управления питанием ---
MAX6466UK52-T MAX6466UK52-T --- Схемы управления питанием ---
AA4040CGCK AA4040CGCK --- Светодиодная индикация ---
140-500P5-102K-TR-RC 140-500P5-102K-TR-RC --- Конденсаторы ---