BLF6G22LS-100,118
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BLF6G22LS-100,118 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS | ||
| Производитель: | NXP Semiconductors | ||
| Спецификация: | 342447.pdf | ||
| Детальное описание компонента BLF6G22LS-100,118 | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 0.16 Ohms | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Напряжение пробоя затвор-исток | 13 V | Непрерывный ток стока | 29 A |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT502B | Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 100 |
| Другие названия товара № | /T3 BLF6G22LS-100 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MOI-AL202C-XY3SE | Matrix Orbital | Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие Black Background Yellow Text | --- |
|
|
 |
NE3210S01 | CEL | РЧ транзисторы на арсениде галлия Super Lo Noise HJFET | 5397251.pdf |
|
|
|
|
IS61VPS51236A-250B3L-TR | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
83004 001100 | --- | Провод - одножильный | --- |
|
|
|
|
1408R 0101000 | --- | Многожильные кабели и кабели парной скрутки | --- |
|