BLF6G22LS-130,118

BLF6G22LS-130,118
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G22LS-130,118
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 345916.pdf
Детальное описание компонента BLF6G22LS-130,118
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.135 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Непрерывный ток стока 34 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT502B Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 100
Другие названия товара № /T3 BLF6G22LS-130

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AP-CF016GA5GS-ETNDRM AP-CF016GA5GS-ETNDRM Apacer Карты памяти CF4 EXT TEP 16GB IND COMPACT FLASH CARD ---
ZMXM-400-1-B ZMXM-400-1-B CEL Модули Zigbee / 802.15.4 Matrix Zigbee 10mW 10MW Module 2387986.pdf
TISP4015L1AJR-S TISP4015L1AJR-S Bourns Сидаки Very Low Voltage Bidirectional 173086.pdf
PTMA080302M V1 PTMA080302M V1 Infineon Technologies РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LD 8 IC ---
M29W800DT70N1T M29W800DT70N1T --- Микросхемы памяти ---