BLF6G27-10,112

BLF6G27-10,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G27-10,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 348326.pdf
Детальное описание компонента BLF6G27-10,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 1.256 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Непрерывный ток стока 3.5 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок CDFM Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 60
Другие названия товара № BLF6G27-10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
2-1588517-5 2-1588517-5 TE Connectivity / AMP Волоконно-оптические соединители ILA 25DB DW HD SC/SC 2M ---
CY7C1320BV18-250BZI CY7C1320BV18-250BZI --- Микросхемы памяти ---
UCC3813PW-5 UCC3813PW-5 --- Схемы управления питанием ---
EL3H7(I)(EB)-G EL3H7(I)(EB)-G --- Оптопары и оптроны ---
UILC2IW-X UILC2IW-X --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---