BF 1005S E6327

BF 1005S E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BF 1005S E6327
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BF 1005S E6327
Конфигурация Single Dual Gate Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 8 V Напряжение пробоя затвор-исток 3 V
Непрерывный ток стока 0.025 A Рассеяние мощности 200 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-143 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 15000
Другие названия товара № BF1005SE6327HTSA1 BF1005SE6327HTSA1, BF1005SE6327XT SP000010949,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FMC7G20US60 FMC7G20US60 Fairchild Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ---
THS6032CVFP THS6032CVFP Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители Low-Pwr ADSL Cent-Office Line Drv 1184729.pdf
TSB43DA42GHC TSB43DA42GHC Texas Instruments Интерфейсная ИС 1394 IEC61883 1394a Link Layer Cntrlr 9371857.pdf
MPC8358CVRAGDGA MPC8358CVRAGDGA --- Процессоры MCU, MPU, DSP, DSC, SoC ---
NJM2117V-TE1 NJM2117V-TE1 --- RF Semiconductors ---