BLF6G20-110,112
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BLF6G20-110,112 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS | ||
| Производитель: | NXP Semiconductors | ||
| Спецификация: | 361813.pdf | ||
| Детальное описание компонента BLF6G20-110,112 | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 0.16 Ohms | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Напряжение пробоя затвор-исток | 13 V | Непрерывный ток стока | 29 A |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT502B | Упаковка | Tube |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 20 |
| Другие названия товара № | BLF6G20-110 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MCP73855-I/MFG | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
BD9850FVM-TR | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
GAL16LV8C-15LJN | --- | Программируемые логические интегральные схемы | --- |
|
|
|
|
PI6CV857LKE | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
593-292929-013F | --- | Светодиодная индикация | --- |
|