BLF6G10LS-200R /T3

BLF6G10LS-200R /T3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-200R /T3
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента BLF6G10LS-200R /T3
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.06 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 0.5 V to + 13 V Непрерывный ток стока 49 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT502B Упаковка Reel - 13 in
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 100
Другие названия товара № BLF6G10LS-200R,118

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AP-SAFD254QA016GS-HT AP-SAFD254QA016GS-HT Apacer Твердотельные накопители (SSD) SAFD 254 SATA FLASH DRIVE SLC 16GB STD 1757871.pdf
MB258 MB258 Rectron Мостовые выпрямители 25A 800V 3052986.pdf
MCP4261-502E/P MCP4261-502E/P Microchip Technology ИС, цифровые потенциометры Dual 7B NV SPI POT 5038586.pdf
MC100ELT24DR2G MC100ELT24DR2G ON Semiconductor Трансляция - уровни напряжения 5V TTL to Diff ECL ---
IS42S81600E-7TLI IS42S81600E-7TLI --- Микросхемы памяти ---