BG 3123 E6327
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BG 3123 E6327 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Silicon N-Channel MOSFET Tetrode | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента BG 3123 E6327 | |||
| Конфигурация | Dual | Полярность транзистора | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Напряжение пробоя сток-исток | 8 V | Напряжение пробоя затвор-исток | 6 V |
| Непрерывный ток стока | 0.025 A | Рассеяние мощности | 200 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-363 | Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C | Размер фабричной упаковки | 15000 |
| Другие названия товара № | BG3123E6327XT | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F-55472GNFQJ-LB-AEN | Optrex | Графические дисплейные ЖК-модули и принадлежности 2.8" 128x64 HPC Blue LED | --- |
|
|
|
|
MAX942CPA | Maxim Integrated Products | ИС, компараторы | 9544090.pdf |
|
|
 |
74HCT534D | NXP Semiconductors | Триггеры OCTAL D INV 3-STATE | 7882707.pdf |
|
|
|
|
DS1312S+ | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
162GB16F1419PE | --- | Цилиндрические разъемы | --- |
|