BLF6G22-180PN

BLF6G22-180PN
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G22-180PN
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента BLF6G22-180PN
Конфигурация Dual Common Source Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.165 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT502B
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF6G22-180PN,112

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NE69039-A NE69039-A CEL РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN Low Voltage 5333196.pdf
MAX4362ESD+T MAX4362ESD+T Maxim Integrated Products Быстродействующие операционные усилители ADSL Driver/Receiver 1050738.pdf
DS1847E-050/T&R DS1847E-050/T&R Maxim Integrated Products ИС, цифровые потенциометры 5185578.pdf
74F377SJ_Q 74F377SJ_Q Fairchild Semiconductor Триггеры Qd 2-Input NAND Buff 7923846.pdf
564-0100-827F 564-0100-827F --- Светодиодная индикация ---