BG 3430R E6327

BG 3430R E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BG 3430R E6327
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RF MOSFET 25mA 200mW
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BG 3430R E6327
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 8 V Напряжение пробоя затвор-исток +/- 6 V
Непрерывный ток стока 0.025 A Рассеяние мощности 200 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-363 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 9000
Другие названия товара № BG3430RE6327XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
74LVX373SJ_Q 74LVX373SJ_Q Fairchild Semiconductor Защелки Octal Trans Latch 3370657.pdf
1P18U1/2 1P18U1/2 --- Автоматические выключатели ---
CMD3750 CMD3750 --- Светодиодная индикация ---
DEA1X3D270JC1B DEA1X3D270JC1B --- Конденсаторы ---
Q2-F-RK2-1-01-6IN-8 Q2-F-RK2-1-01-6IN-8 --- Рубки и рукава ---