MUN5230DW1T1G

MUN5230DW1T1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MUN5230DW1T1G
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT Dual NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MUN5230DW1T1G
Конфигурация Dual Полярность транзистора NPN
Типичное входное сопротивление 1 KOhms Типичный коэффициент деления резистора 1
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT-363-6
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA Рассеяние мощности 187 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 3000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
INA116UAG4 INA116UAG4 Texas Instruments Измерительные усилители Ultra Low Input Bias Current 1275081.pdf
DAC7731EC/1KG4 DAC7731EC/1KG4 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16-Bit Sng Ch W/Int +10V Ref & Ser I/F 2040677.pdf
CY14MB064Q1A-SXI CY14MB064Q1A-SXI --- Микросхемы памяти ---
MAX4429ESA-T MAX4429ESA-T --- Схемы управления питанием ---
25SP025 25SP025 --- Динамики и преобразователи ---