MUN5111DW1T1G
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | MUN5111DW1T1G | ||
| Описание: | Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT Dual PNP | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента MUN5111DW1T1G | |||
| Конфигурация | Dual | Полярность транзистора | PNP |
|---|---|---|---|
| Типичное входное сопротивление | 10 KOhms | Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | SC-88-6 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V | Непрерывный коллекторный ток | - 0.1 A |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA | Рассеяние мощности | 250 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C | Размер фабричной упаковки | 3000 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UMFT230XB-01 | FTDI | Interface Development Tools USB to Basic UART Breakout Brd FT231X | 9634990.pdf |
|
|
 |
2N4338-E3 | Vishay/Siliconix | JFET 50V 0.6mA | --- |
|
|
 |
LAN89218AQR | SMSC | ИС, Ethernet High Perform Chip 10/100 NonPCI Cntrl | 6929876.pdf |
|
|
 |
AG303-86G | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
1218637-1 | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|