NSBA123JDXV6T1G

NSBA123JDXV6T1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NSBA123JDXV6T1G
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NSBA123JDXV6T1G
Конфигурация Dual Полярность транзистора PNP
Типичное входное сопротивление 2.2 KOhms Типичный коэффициент деления резистора 0.047
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT-563-6
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V Непрерывный коллекторный ток - 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA Рассеяние мощности 357 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 4000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DA3S101F0L DA3S101F0L Panasonic Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) SWITCH DIODE FLT LD 1.6x1.6mm 3545992.pdf
74F112SCX 74F112SCX Fairchild Semiconductor Триггеры Dual J-K Flip-Flop 7916870.pdf
PI5C16210AEX PI5C16210AEX --- Коммутационные микросхемы ---
TPS2103DBVTG4 TPS2103DBVTG4 --- Коммутационные микросхемы ---
CC2425W4V CC2425W4V --- Оптопары и оптроны ---