NE5517DR2G

NE5517DR2G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE5517DR2G
Описание: Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NE5517DR2G
Количество каналов 2 Упаковка / блок SOIC-16
Входное напряжение смещения 5 mV Напряжение питания (макс.) 44 V
Ток питания 4 mA Максимальная рабочая температура + 70 C
Минимальная рабочая температура 0 C Упаковка Reel
Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) 80 dB Диапазон входного напряжения (макс.) Positive Rail - 3 V
Максимальное рассеяние мощности 1125 mW Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TLV320AIC3107EVM-K TLV320AIC3107EVM-K Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) аудиоконтроллеров TLV320AIC3107EVM-K Eval Mod ---
NJG#1309VB2-TE1 NJG#1309VB2-TE1 --- RF Semiconductors ---
NCP3712ASNT1G NCP3712ASNT1G --- Коммутационные микросхемы ---
86706CY SL002 86706CY SL002 --- Многожильные кабели и кабели парной скрутки ---
ORZ471M1ABK-1012 ORZ471M1ABK-1012 --- Конденсаторы ---