NE5517N
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | NE5517N | ||
| Описание: | Транскондуктивные усилители Transconductance | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента NE5517N | |||
| Количество каналов | 2 | Упаковка / блок | PDIP-16 |
|---|---|---|---|
| Полоса пропускания | 2 MHz | Входное напряжение смещения | 5 mV |
| Напряжение питания (макс.) | 44 V | Ток питания | 2.6 mA |
| Максимальная рабочая температура | + 70 C | Минимальная рабочая температура | 0 C |
| Упаковка | Tube | Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) | 80 dB |
| Диапазон входного напряжения (макс.) | Positive Rail - 3 V | Вид монтажа | Through Hole |
| Размер фабричной упаковки | 25 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZ300R12KE3GS | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE | --- |
|
|
|
|
MAX3098EACPE | Maxim Integrated Products | ИС интерфейса RS-422/RS-485 | 6018516.pdf |
|
|
|
|
XR20M1170IL28-F | Exar | ИС, интерфейс UART UART | 6257817.pdf |
|
|
|
|
IS42S16160B-6TL-TR | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
161-R3012-E | --- | Модули подачи питания | --- |
|