HGTP3N60A4

HGTP3N60A4
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: HGTP3N60A4
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT NPT Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Цены: Розн.0,45$
Детальное описание компонента HGTP3N60A4
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 17 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 70 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 17 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP3N60A4_NL order_2_3week 20

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DDB6U75N16YR DDB6U75N16YR Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 69A ---
MPC8264AVVPJDB MPC8264AVVPJDB --- Процессоры MCU, MPU, DSP, DSC, SoC ---
SST39VF800A-70-4I-B3K SST39VF800A-70-4I-B3K --- Микросхемы памяти ---
NCV4279A50D1G NCV4279A50D1G --- Схемы управления питанием ---
ITS410E2 E3043 ITS410E2 E3043 --- Коммутационные микросхемы ---