Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) :: Страница 35

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FMS6G20US60S FMS6G20US60S Fairchild Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A MODULE ---
GB20XF60K GB20XF60K Vishay Semiconductors Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amp 600 Volt Non-Punch Through ---
FMG2G100US60 FMG2G100US60 Fairchild Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V/100A/2 ---
FMG2G150US60 FMG2G150US60 Fairchild Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Molding Type Module ---
FMS7G15US60 FMS7G15US60 Fairchild Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V/15A ---
FMS6G20US60 FMS6G20US60 Fairchild Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module ---
FMG2G300LS60E FMG2G300LS60E Fairchild Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 300A IGBT Module ---
FMG2G150US60E FMG2G150US60E Fairchild Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V/150A/Module ---
VKI75-06P1 VKI75-06P1 Ixys Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V ---
MIO1800-17E10 MIO1800-17E10 Ixys Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1800 Amps 1700V ---
MIO1200-25E10 MIO1200-25E10 Ixys Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Amps 2500V ---
MKI100-12E8 MKI100-12E8 Ixys Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT (NPT3) ---
MIO2400-17E10 MIO2400-17E10 Ixys Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 2400 Amps 1700V ---
MIO1200-33E10 MIO1200-33E10 Ixys Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Amps 3300V ---
VKI50-12P1 VKI50-12P1 Ixys Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V ---
MIO1500-25E10 MIO1500-25E10 Ixys Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1500 Amps 2500V ---
MIO600-65E11 MIO600-65E11 Ixys Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600 Amps 6500V ---
VKI50-06P1 VKI50-06P1 Ixys Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 600V ---
MIO1200-33E11 MIO1200-33E11 Ixys Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Amps 3300V ---
MKI80-06T6K MKI80-06T6K Ixys Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 80 Amps 600V ---
MKI75-12E8 MKI75-12E8 Ixys Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200V ---
FZ1200R33KF2 FZ1200R33KF2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) U 641-FZ1200R33KF2C ---
BSM400GA120DLCS BSM400GA120DLCS Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE ---
FMBH1G75US60 FMBH1G75US60 Fairchild Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ---
FMG1G300US60L FMG1G300US60L Fairchild Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ---