| Изображение |
Название |
Производитель |
Описание |
Спецификация |
Кол-во |
|
 |
FF150R12MS4G |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A |
--- |
|
|
|
|
DD1000S33HE3 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IHM-B Module 3300V 1000A |
--- |
|
|
|
|
FZ1600R17KE3_B2 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 2.4KA |
--- |
|
|
|
|
FS75R12KE3G |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE |
--- |
|
|
|
|
BSM200GA120DN2C |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A |
--- |
|
|
|
|
FF200R17KE3_S4 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A |
--- |
|
|
|
|
FZ400R12KP4 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 400A |
--- |
|
|
|
|
FS300R12KE4 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 450A |
--- |
|
|
|
|
F4-75R12MS4 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A |
--- |
|
|
|
|
BSM200GA170DN2S_E3256 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 200A |
--- |
|
|
|
|
FF400R12KE3 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE |
--- |
|
|
|
|
FF800R12KL4C |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A DUAL |
--- |
|
|
|
|
FF225R17ME3 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 340A |
--- |
|
|
|
|
FS75R12W2T4_B11 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A |
--- |
|
|
|
|
BSM400GA120DLC |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE |
--- |
|
|
|
|
FZ1200R12HP4 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1200A |
--- |
|
|
|
|
FS300R17KE3 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 300A 3-PHASE |
--- |
|
|
|
|
FS75R17KE3 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 130A |
--- |
|
|
|
|
FP15R12W1T3 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A |
--- |
|
|
|
|
FS100R12KE3 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE |
--- |
|
|
|
|
F4-200R06KL4 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 225A |
--- |
|
|
|
|
FZ1600R12KL4C |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1600A SINGLE |
--- |
|
|
|
|
FF450R12KT4 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A |
--- |
|
|
|
|
BSM150GB170DN2 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 150A DUAL |
--- |
|
|
|
|
FS225R17KE4 |
Infineon Technologies |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 225A |
--- |
|
|